<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
  <title>DSpace Collection:</title>
  <link rel="alternate" href="http://hdl.handle.net/123456789/440" />
  <subtitle />
  <id>http://hdl.handle.net/123456789/440</id>
  <updated>2026-05-24T09:48:59Z</updated>
  <dc:date>2026-05-24T09:48:59Z</dc:date>
  <entry>
    <title>Гальванічні комутації для термоелектричних модулів охолодження</title>
    <link rel="alternate" href="http://hdl.handle.net/123456789/549" />
    <author>
      <name>Кречун, М. М.</name>
    </author>
    <id>http://hdl.handle.net/123456789/549</id>
    <updated>2019-09-25T09:17:56Z</updated>
    <published>2019-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Гальванічні комутації для термоелектричних модулів охолодження
Authors: Кречун, М. М.
Abstract: У роботі досліджено використання гальванічних технологій у термоелектриці. Розглянуто&#xD;
технологічні особливості нанесення антидифузійних покриттів на термоелектричний матеріал (ТЕМ) на&#xD;
основі телуриду вісмуту гальванічним способом. Визначено переваги та недоліки властивостей&#xD;
антидифузійних структур отриманих електрохімічним методом.</summary>
    <dc:date>2019-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Особливості структури та фізико-хімічних властивостей поліортотолуїдину легованого толуенсульфокислотою</title>
    <link rel="alternate" href="http://hdl.handle.net/123456789/548" />
    <author>
      <name>Степура, А. Л.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Аксіментьєва, Олена Ігорівна</name>
    </author>
    <author>
      <name>Демченко, Павло Юрієвич</name>
    </author>
    <id>http://hdl.handle.net/123456789/548</id>
    <updated>2019-09-25T08:54:40Z</updated>
    <published>2019-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Особливості структури та фізико-хімічних властивостей поліортотолуїдину легованого толуенсульфокислотою
Authors: Степура, А. Л.; Аксіментьєва, Олена Ігорівна; Демченко, Павло Юрієвич
Abstract: Досліджено особливості кристалічної структури, електропровідності і термічної стабільності&#xD;
поліортотолуїдину (ПоТі), отриманого методом окисної полімеризації в середовищі сульфатної та&#xD;
толуенсульфокислоти (ТСК). Встановлено, що для зразків ПоТі-ТСК характерна висока кристалічність. За даними фізико-хімічних досліджень, легування зразків толуенсульфокислотою спричиняє збільшення&#xD;
термічної стабільності, електропровідності і сенсорної чутливості ПоТі в порівнянні з сульфатно-&#xD;
легованими зразками. На основі температурної залежності питомого опору розраховані значення енергії активації провідності, які лежать в межах 0,2 - 0,4 еВ в залежності від типу допанта.</summary>
    <dc:date>2019-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Потрійні системи Lu-V-{Ge, Sn}</title>
    <link rel="alternate" href="http://hdl.handle.net/123456789/540" />
    <author>
      <name>Ромака, Любов Петрівна</name>
    </author>
    <author>
      <name>Коник, Марія Богданівна</name>
    </author>
    <author>
      <name>Стадник, Юрій Володимирович</name>
    </author>
    <author>
      <name>Ромака, Віталій Володимирович</name>
    </author>
    <author>
      <name>Серкіз, Роман Ярославович</name>
    </author>
    <id>http://hdl.handle.net/123456789/540</id>
    <updated>2019-09-23T13:13:36Z</updated>
    <published>2019-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Потрійні системи Lu-V-{Ge, Sn}
Authors: Ромака, Любов Петрівна; Коник, Марія Богданівна; Стадник, Юрій Володимирович; Ромака, Віталій Володимирович; Серкіз, Роман Ярославович
Abstract: Ізотермічні перерізи діаграм стану потрійних систем Lu–V–Ge і Lu-V-Sn побудовані за температури 870 K в повному концентраційному інтервалі методами рентгенофазового, рентгеноструктурного і мікроструктурного аналізів. В системі Lu-V-Ge на основі бінарної сполуки Lu5Ge3 (структурний тип Mn5Si3) встановлено утворення твердого розчину заміщення Lu5Ge3-xVx до вмісту 6 aт. % V. Включення атомів V в структуру бінарного германіду LuGe2 (структурний тип ZrSi2, до вмісту 5 aт. % V) приводить до утворення тернарної фази LuV0,15Ge2 (структурний тип CeNiSi2, просторова група Cmcm, a=0,40210(4), b=1,5661(1), c=0,38876(3) нм), яка відповідає граничному складу твердого розчину включення LuVxGe2. Взаємодія компонентів у системі Lu-V-Sn за температури дослідження характеризується утворенням тернарної сполуки LuV6Sn6 (структурний тип SmMn6Sn6, просторова група P6/mmm, a=0,5503(2), c=0,9171(4) нм).</summary>
    <dc:date>2019-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Structure and Morphology of MoS2/Carbon Nanocomposite Materials</title>
    <link rel="alternate" href="http://hdl.handle.net/123456789/538" />
    <author>
      <name>Бойчук, Володимира Михайлівна</name>
    </author>
    <author>
      <name>Шийко, Людмила Олександрівна</name>
    </author>
    <author>
      <name>Коцюбинський, Володимир Олегович</name>
    </author>
    <author>
      <name>Качмар, Андрій Ігорович</name>
    </author>
    <id>http://hdl.handle.net/123456789/538</id>
    <updated>2019-09-23T12:41:13Z</updated>
    <published>2019-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Structure and Morphology of MoS2/Carbon Nanocomposite Materials
Authors: Бойчук, Володимира Михайлівна; Шийко, Людмила Олександрівна; Коцюбинський, Володимир Олегович; Качмар, Андрій Ігорович
Abstract: Стаття присвячена експериментальному вивченню впливу умов гідротермального синтезу на структуру та морфологію нанокомпозитних матеріалів на основі МоS2 та вуглецю за умови застосування при отриманні різних типів поверхнево-активних речовин (цетилтриметил амонію бромід та Тритон-Х) або ж мікропористого вугілля. Отримані матеріали вивчалися методами рентгеноструктурного аналізу, трансмісійної електронної мікроскопії та енергодисперсійної спектроскопії. Встановлено, що матеріали отримані за участю поверхнево-активних речовин, формуються з наночастинок  розміром близько 40 нм , приповерхнева зона яких складається з кристалічно-впорядкованих шарів 2D-MoS2, розділених аморфним вуглецем. Відпал при 500оС в атмосфері інертного газу викликає руйнування частинок та утворення турбостратично-організованих пакетів МоS2, оточених аморфним вуглецевим матеріалом. Для нанокомпозитів MoS2 / вуглець зафіксовано утворення оболонок з наночастинок аморфного вуглецю навколо частинок дисульфіду молібдену.</summary>
    <dc:date>2019-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
</feed>

