<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
  <title>DSpace Collection:</title>
  <link rel="alternate" href="http://hdl.handle.net/123456789/6790" />
  <subtitle />
  <id>http://hdl.handle.net/123456789/6790</id>
  <updated>2026-05-24T11:42:35Z</updated>
  <dc:date>2026-05-24T11:42:35Z</dc:date>
  <entry>
    <title>Впливмеханоактиваціїсумішейнанопорошків SiO2/Al2O3наїхморфологіютаенергетичнийрозподілвалентнихелектронів</title>
    <link rel="alternate" href="http://hdl.handle.net/123456789/7680" />
    <author>
      <name>Зауличний, Ярослав Васильович</name>
    </author>
    <author>
      <name>Ільків, Володимир Ярославович</name>
    </author>
    <author>
      <name>Яворський, Юрій Васильович</name>
    </author>
    <author>
      <name>Дудка, Олександр Іванович</name>
    </author>
    <author>
      <name>Зарко, Володимир Ілліч</name>
    </author>
    <author>
      <name>Карпець, Мирослав Васильович</name>
    </author>
    <id>http://hdl.handle.net/123456789/7680</id>
    <updated>2020-06-03T07:04:56Z</updated>
    <published>2015-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Впливмеханоактиваціїсумішейнанопорошків SiO2/Al2O3наїхморфологіютаенергетичнийрозподілвалентнихелектронів
Authors: Зауличний, Ярослав Васильович; Ільків, Володимир Ярославович; Яворський, Юрій Васильович; Дудка, Олександр Іванович; Зарко, Володимир Ілліч; Карпець, Мирослав Васильович
Abstract: Проведеноаналізморфологічниххарактеристикструктуринанорозмірнихсумішей x-Al2O3+ y-SiO2(x = 0,2; 0,3; 0,75; y = 0,8; 0,7; 0,25) доіпіслямеханоактивації. Придослідженніточковогохімічногоскладувиявили, щовнаслідокмеханоактиваціїуструктурікомпозитівутворюютьсяагломерати, деодночасноприсутнінаночастинкиоксидівкремніютаалюмінію. ЗміниморфологіїструктурипідтверджуютьсяперерозподіломвалентнихОр-, Sisd- та Alsd- електронівсумішейврезультатімеханоактивації</summary>
    <dc:date>2015-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Автоматизація розрахунків площ можливого і ширини прогнозованого хімічного забруднення з використанням об’єктно-орієнтованого програмного середовища</title>
    <link rel="alternate" href="http://hdl.handle.net/123456789/7524" />
    <author>
      <name>Борик, Віктор Васильович</name>
    </author>
    <id>http://hdl.handle.net/123456789/7524</id>
    <updated>2020-05-26T10:54:45Z</updated>
    <published>2015-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Автоматизація розрахунків площ можливого і ширини прогнозованого хімічного забруднення з використанням об’єктно-орієнтованого програмного середовища
Authors: Борик, Віктор Васильович
Abstract: Створено програмний код в середовищі Visual Basic Application для MS Office, що дозволяє&#xD;
автоматизувати розрахунок площ зон можливого і прогнозованого хімічного забруднення при аваріях на&#xD;
хімічно небезпечних об’єктах (ХНО) з витоком хімічно небезпечних речовин (ХНО).</summary>
    <dc:date>2015-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Комп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер бетатранзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС</title>
    <link rel="alternate" href="http://hdl.handle.net/123456789/7523" />
    <author>
      <name>Новосядлий, Степан Петрович</name>
    </author>
    <author>
      <name>Гузік, В. С.</name>
    </author>
    <id>http://hdl.handle.net/123456789/7523</id>
    <updated>2020-05-26T10:47:42Z</updated>
    <published>2015-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Комп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер бетатранзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС
Authors: Новосядлий, Степан Петрович; Гузік, В. С.
Abstract: Серед напівпровідників на широті використання в мікроелектроніці для створення цифрових&#xD;
мікросхем арсенід був і залишився основним матеріалом. Разом з тим почали інтенсивно впроваджувати&#xD;
мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми в силу високої рухливості носіїв заряду&#xD;
мають частотний діапазон функціонування недосягаючий для мікросхем на основі кремнію (Si).</summary>
    <dc:date>2015-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Захисні титаноалітовані покриття на сталі 40Х13</title>
    <link rel="alternate" href="http://hdl.handle.net/123456789/7522" />
    <author>
      <name>Хижняк, Віктор Гаврилович</name>
    </author>
    <author>
      <name>Аршук, Марина Віталіївна</name>
    </author>
    <author>
      <name>Хижняк, О. В.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Дудка, Олександр Іванович</name>
    </author>
    <author>
      <name>Білик, Ігор Іванович</name>
    </author>
    <id>http://hdl.handle.net/123456789/7522</id>
    <updated>2020-05-26T10:40:19Z</updated>
    <published>2015-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Захисні титаноалітовані покриття на сталі 40Х13
Authors: Хижняк, Віктор Гаврилович; Аршук, Марина Віталіївна; Хижняк, О. В.; Дудка, Олександр Іванович; Білик, Ігор Іванович
Abstract: Проведені дослідження щодо нанесення на поверхню сталі 40Х13 багатокомпонентних&#xD;
титаноалітованих покриттів в контейнерах з плавким затвором з використанням суміші порошків титану,&#xD;
алюмінію; гідриду титану; титаноалітування сталі 40Х13 з попередньо нанесеним шаром ТіN;&#xD;
титаноалітування попередньо азотованої сталі в середовищі аміаку. Показана можливість формування на&#xD;
сталі 40Х13 покриттів за участю сполук Ti4Fe2O, FeTiAl, TiN, TiC та перехідної зони. Встановлено&#xD;
розподіл хімічних елементів та мікротвердості за товщиною дифузійних покриттів. Максимальна&#xD;
мікротвердість виявлена для шарів ТіС – 31,0-34,0 ГПа; для шарів ТіN – 19,5-22,5 ГПа; для зони Ti4Fe2O,&#xD;
FeTiAl – 5,0-7,0 ГПа</summary>
    <dc:date>2015-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
</feed>

