http://hdl.handle.net/123456789/13777 2026-05-24T09:07:59Z http://hdl.handle.net/123456789/14014 Title: Навчальна програма поглибленого вивчення спеціяльного курсу «Біоорганічна хемія» Authors: Сіренко, Геннадій Олександрович; Мідак, Лілія Ярославівна 2011-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/123456789/14013 Title: Питома площа ґавсовської анізотропної та ізотропної шорстких поверхонь Authors: Сіренко, Геннадій Олександрович; Солтис, Любов Михайлівна; Семенюк, Микола Федорович Abstract: Виходячи з опису ґавсовських шорстких поверхонь на основі моделі випадкового поля знайдені математичні вирази для розрахунку питомої площі анізотропної шорсткої поверхні з жорсткою рівною. З отриманих формул знайдені аналогічні вирази для ізотропної моделі шорсткої поверхні. За результатами дослідження зношування полімерного композиту під час контакту зі стальним контртілом знайдена залежність величин питомої площі поверхні контртіла від шляху тертя та питомої інтенсивносте зношування композиту від питомої площі поверхні контртіла, отриманої під час тертя та зношування. 2011-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/123456789/14011 Title: Методи лінійної множинної кореляції та реґреси в хемічному матеріялознавстві Authors: Сіренко, Геннадій Олександрович; Мідак, Лілія Ярославівна; Сіренко, Оксана Геннадіївна Abstract: Приведені основні означення кореляційної аналізи, розрахункові формули коефіцієнта лінійної множинної кореляції, розглянуто процедури одержання рівнянь реґресії та приклади застосування кореляційної аналізи в хемічній технології. 2011-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/123456789/14010 Title: Дефектоутворення у тонких плівках станум телуриду під час вирощування з парової фази Authors: Прокопів, Володимир Володимирович Abstract: Розроблена модель квазіхемічних реакцій утворення власних точкових дефектів у плівках станум телуриду під час вирощування з парової фази методом гарячої стінки у припущенні утворення двократно йонізованих дефектів за Шотткі. Одержано аналітичні вирази для визначення концентрації дірок (р), вакансій стануму [V2-Sn ] і телуру [V2+Te] через константи квазіхемічних реакцій їх утворення (К) і парціяльний тиск пари телуру (PTe2 ). Встановлено залежности концентрацій вільних носіїв заряду та переважаючих точкових дефектів від технологічних факторів: температури підкладки (ТП), температури випаровування (ТВ), парціяльного тиску пари телуру (РТе2 ). Автор висловлює подяку професору Фреїку Д.М. за постановку завдання та обговорення результатів дослідження. 2011-01-01T00:00:00Z