http://hdl.handle.net/123456789/440 2026-05-24T08:50:43Z http://hdl.handle.net/123456789/549 Title: Гальванічні комутації для термоелектричних модулів охолодження Authors: Кречун, М. М. Abstract: У роботі досліджено використання гальванічних технологій у термоелектриці. Розглянуто технологічні особливості нанесення антидифузійних покриттів на термоелектричний матеріал (ТЕМ) на основі телуриду вісмуту гальванічним способом. Визначено переваги та недоліки властивостей антидифузійних структур отриманих електрохімічним методом. 2019-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/123456789/548 Title: Особливості структури та фізико-хімічних властивостей поліортотолуїдину легованого толуенсульфокислотою Authors: Степура, А. Л.; Аксіментьєва, Олена Ігорівна; Демченко, Павло Юрієвич Abstract: Досліджено особливості кристалічної структури, електропровідності і термічної стабільності поліортотолуїдину (ПоТі), отриманого методом окисної полімеризації в середовищі сульфатної та толуенсульфокислоти (ТСК). Встановлено, що для зразків ПоТі-ТСК характерна висока кристалічність. За даними фізико-хімічних досліджень, легування зразків толуенсульфокислотою спричиняє збільшення термічної стабільності, електропровідності і сенсорної чутливості ПоТі в порівнянні з сульфатно- легованими зразками. На основі температурної залежності питомого опору розраховані значення енергії активації провідності, які лежать в межах 0,2 - 0,4 еВ в залежності від типу допанта. 2019-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/123456789/540 Title: Потрійні системи Lu-V-{Ge, Sn} Authors: Ромака, Любов Петрівна; Коник, Марія Богданівна; Стадник, Юрій Володимирович; Ромака, Віталій Володимирович; Серкіз, Роман Ярославович Abstract: Ізотермічні перерізи діаграм стану потрійних систем Lu–V–Ge і Lu-V-Sn побудовані за температури 870 K в повному концентраційному інтервалі методами рентгенофазового, рентгеноструктурного і мікроструктурного аналізів. В системі Lu-V-Ge на основі бінарної сполуки Lu5Ge3 (структурний тип Mn5Si3) встановлено утворення твердого розчину заміщення Lu5Ge3-xVx до вмісту 6 aт. % V. Включення атомів V в структуру бінарного германіду LuGe2 (структурний тип ZrSi2, до вмісту 5 aт. % V) приводить до утворення тернарної фази LuV0,15Ge2 (структурний тип CeNiSi2, просторова група Cmcm, a=0,40210(4), b=1,5661(1), c=0,38876(3) нм), яка відповідає граничному складу твердого розчину включення LuVxGe2. Взаємодія компонентів у системі Lu-V-Sn за температури дослідження характеризується утворенням тернарної сполуки LuV6Sn6 (структурний тип SmMn6Sn6, просторова група P6/mmm, a=0,5503(2), c=0,9171(4) нм). 2019-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/123456789/538 Title: Structure and Morphology of MoS2/Carbon Nanocomposite Materials Authors: Бойчук, Володимира Михайлівна; Шийко, Людмила Олександрівна; Коцюбинський, Володимир Олегович; Качмар, Андрій Ігорович Abstract: Стаття присвячена експериментальному вивченню впливу умов гідротермального синтезу на структуру та морфологію нанокомпозитних матеріалів на основі МоS2 та вуглецю за умови застосування при отриманні різних типів поверхнево-активних речовин (цетилтриметил амонію бромід та Тритон-Х) або ж мікропористого вугілля. Отримані матеріали вивчалися методами рентгеноструктурного аналізу, трансмісійної електронної мікроскопії та енергодисперсійної спектроскопії. Встановлено, що матеріали отримані за участю поверхнево-активних речовин, формуються з наночастинок розміром близько 40 нм , приповерхнева зона яких складається з кристалічно-впорядкованих шарів 2D-MoS2, розділених аморфним вуглецем. Відпал при 500оС в атмосфері інертного газу викликає руйнування частинок та утворення турбостратично-організованих пакетів МоS2, оточених аморфним вуглецевим матеріалом. Для нанокомпозитів MoS2 / вуглець зафіксовано утворення оболонок з наночастинок аморфного вуглецю навколо частинок дисульфіду молібдену. 2019-01-01T00:00:00Z