http://hdl.handle.net/123456789/440 Sun, 24 May 2026 12:46:34 GMT 2026-05-24T12:46:34Z http://hdl.handle.net/123456789/549 Title: Гальванічні комутації для термоелектричних модулів охолодження Authors: Кречун, М. М. Abstract: У роботі досліджено використання гальванічних технологій у термоелектриці. Розглянуто технологічні особливості нанесення антидифузійних покриттів на термоелектричний матеріал (ТЕМ) на основі телуриду вісмуту гальванічним способом. Визначено переваги та недоліки властивостей антидифузійних структур отриманих електрохімічним методом. Tue, 01 Jan 2019 00:00:00 GMT http://hdl.handle.net/123456789/549 2019-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/123456789/548 Title: Особливості структури та фізико-хімічних властивостей поліортотолуїдину легованого толуенсульфокислотою Authors: Степура, А. Л.; Аксіментьєва, Олена Ігорівна; Демченко, Павло Юрієвич Abstract: Досліджено особливості кристалічної структури, електропровідності і термічної стабільності поліортотолуїдину (ПоТі), отриманого методом окисної полімеризації в середовищі сульфатної та толуенсульфокислоти (ТСК). Встановлено, що для зразків ПоТі-ТСК характерна висока кристалічність. За даними фізико-хімічних досліджень, легування зразків толуенсульфокислотою спричиняє збільшення термічної стабільності, електропровідності і сенсорної чутливості ПоТі в порівнянні з сульфатно- легованими зразками. На основі температурної залежності питомого опору розраховані значення енергії активації провідності, які лежать в межах 0,2 - 0,4 еВ в залежності від типу допанта. Tue, 01 Jan 2019 00:00:00 GMT http://hdl.handle.net/123456789/548 2019-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/123456789/540 Title: Потрійні системи Lu-V-{Ge, Sn} Authors: Ромака, Любов Петрівна; Коник, Марія Богданівна; Стадник, Юрій Володимирович; Ромака, Віталій Володимирович; Серкіз, Роман Ярославович Abstract: Ізотермічні перерізи діаграм стану потрійних систем Lu–V–Ge і Lu-V-Sn побудовані за температури 870 K в повному концентраційному інтервалі методами рентгенофазового, рентгеноструктурного і мікроструктурного аналізів. В системі Lu-V-Ge на основі бінарної сполуки Lu5Ge3 (структурний тип Mn5Si3) встановлено утворення твердого розчину заміщення Lu5Ge3-xVx до вмісту 6 aт. % V. Включення атомів V в структуру бінарного германіду LuGe2 (структурний тип ZrSi2, до вмісту 5 aт. % V) приводить до утворення тернарної фази LuV0,15Ge2 (структурний тип CeNiSi2, просторова група Cmcm, a=0,40210(4), b=1,5661(1), c=0,38876(3) нм), яка відповідає граничному складу твердого розчину включення LuVxGe2. Взаємодія компонентів у системі Lu-V-Sn за температури дослідження характеризується утворенням тернарної сполуки LuV6Sn6 (структурний тип SmMn6Sn6, просторова група P6/mmm, a=0,5503(2), c=0,9171(4) нм). Tue, 01 Jan 2019 00:00:00 GMT http://hdl.handle.net/123456789/540 2019-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/123456789/538 Title: Structure and Morphology of MoS2/Carbon Nanocomposite Materials Authors: Бойчук, Володимира Михайлівна; Шийко, Людмила Олександрівна; Коцюбинський, Володимир Олегович; Качмар, Андрій Ігорович Abstract: Стаття присвячена експериментальному вивченню впливу умов гідротермального синтезу на структуру та морфологію нанокомпозитних матеріалів на основі МоS2 та вуглецю за умови застосування при отриманні різних типів поверхнево-активних речовин (цетилтриметил амонію бромід та Тритон-Х) або ж мікропористого вугілля. Отримані матеріали вивчалися методами рентгеноструктурного аналізу, трансмісійної електронної мікроскопії та енергодисперсійної спектроскопії. Встановлено, що матеріали отримані за участю поверхнево-активних речовин, формуються з наночастинок розміром близько 40 нм , приповерхнева зона яких складається з кристалічно-впорядкованих шарів 2D-MoS2, розділених аморфним вуглецем. Відпал при 500оС в атмосфері інертного газу викликає руйнування частинок та утворення турбостратично-організованих пакетів МоS2, оточених аморфним вуглецевим матеріалом. Для нанокомпозитів MoS2 / вуглець зафіксовано утворення оболонок з наночастинок аморфного вуглецю навколо частинок дисульфіду молібдену. Tue, 01 Jan 2019 00:00:00 GMT http://hdl.handle.net/123456789/538 2019-01-01T00:00:00Z