Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/23740
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorТкачук, Іван Георгійович-
dc.contributor.authorОрлецький, Іван Григорович-
dc.contributor.authorКовалюк, Захар Дмитрович-
dc.contributor.authorІванов, Володимир Ігорович-
dc.contributor.authorЗаслонкін, Андрій Володимирович-
dc.contributor.authorКушнір, Богдан Валерійович-
dc.date.accessioned2025-10-13T08:26:27Z-
dc.date.available2025-10-13T08:26:27Z-
dc.date.issued2025-
dc.identifier.citationТкачук І. Г. Фотоелектричні властивості гетеропереходів на основі напівпровідникових оксидів металів та селеніду індію / I. Г. Ткачук, І. Г. Орлецький, З. Д. Ковалюк, В. I. Іванов, A. В. Заслонкін, Б. В. Кушнір // Фізика і хімія твердого тіла. - 2025. - Т. 26. - № 2. - С. 231-234.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.26.2.231-234-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/23740-
dc.description.abstractПриведено результати порівняння фоточутливості гетеропереходів на основі шаруватого напівпровідника InSe та різних широкозонних оксидів (Mn2O3, CuFeO2, Fe2O3), виготовлених методом спрей піролізу. Досліджено спектри фотовідгуку, опроміненого зі сторони плівок оксидів металів гетеропереходу в інтервалі енергій фотонів 1.2÷3 eB. Встановлено виникнення фази In2Se3 між поверхнею кристалу InSe та плівками оксидів та її вплив на фоточутливость гетероструктур.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherПрикарпатський національний університет імені Василя Стефаникаuk_UA
dc.subjectселенід індіюuk_UA
dc.subjectфотовідгукuk_UA
dc.subjectгетероструктуриuk_UA
dc.titleФотоелектричні властивості гетеропереходів на основі напівпровідникових оксидів металів та селеніду індіюuk_UA
dc.title.alternativePhotoelectric properties of heterojunctions based on semiconducting metal oxides and indium selenideuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 26, № 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
04_Tkachuk.pdf428.29 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.