DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/23740Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ткачук, Іван Георгійович | - |
| dc.contributor.author | Орлецький, Іван Григорович | - |
| dc.contributor.author | Ковалюк, Захар Дмитрович | - |
| dc.contributor.author | Іванов, Володимир Ігорович | - |
| dc.contributor.author | Заслонкін, Андрій Володимирович | - |
| dc.contributor.author | Кушнір, Богдан Валерійович | - |
| dc.date.accessioned | 2025-10-13T08:26:27Z | - |
| dc.date.available | 2025-10-13T08:26:27Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Ткачук І. Г. Фотоелектричні властивості гетеропереходів на основі напівпровідникових оксидів металів та селеніду індію / I. Г. Ткачук, І. Г. Орлецький, З. Д. Ковалюк, В. I. Іванов, A. В. Заслонкін, Б. В. Кушнір // Фізика і хімія твердого тіла. - 2025. - Т. 26. - № 2. - С. 231-234. | uk_UA |
| dc.identifier.other | 10.15330/pcss.26.2.231-234 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/23740 | - |
| dc.description.abstract | Приведено результати порівняння фоточутливості гетеропереходів на основі шаруватого напівпровідника InSe та різних широкозонних оксидів (Mn2O3, CuFeO2, Fe2O3), виготовлених методом спрей піролізу. Досліджено спектри фотовідгуку, опроміненого зі сторони плівок оксидів металів гетеропереходу в інтервалі енергій фотонів 1.2÷3 eB. Встановлено виникнення фази In2Se3 між поверхнею кристалу InSe та плівками оксидів та її вплив на фоточутливость гетероструктур. | uk_UA |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника | uk_UA |
| dc.subject | селенід індію | uk_UA |
| dc.subject | фотовідгук | uk_UA |
| dc.subject | гетероструктури | uk_UA |
| dc.title | Фотоелектричні властивості гетеропереходів на основі напівпровідникових оксидів металів та селеніду індію | uk_UA |
| dc.title.alternative | Photoelectric properties of heterojunctions based on semiconducting metal oxides and indium selenide | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 26, № 2 | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 04_Tkachuk.pdf | 428.29 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.