Структурні особливості кристалів AgGaGe3Se8 легованих Er, Dy та Nd

Abstract

У даній роботі досліджено вплив легування рідкоземельними елементами (Nd, Dy, Er) на структурні характеристики кристалів AgGaGe₃Se₈. За допомогою рентгеноструктурного аналізу встановлено, що додавання зазначених іонів викликає локальні спотворення та напруження, що проявляється в модифікації дифракційних відбиттів. Мікроструктурний аналіз методами SEM та EPMA підтвердив однофазну морфологію та хімічну однорідність кристалів у межах зони аналізу. Раманівська спектроскопія виявила наявність базової структурної одиниці у вигляді тетраедрів (Ga,Ge)Se₄. Незважаючи на те, що легування рідкоземельними елементами незначно впливає на положення основних коливних мод, спостерігається зростання інтенсивності окремих смуг. Отримані результати свідчать про збереження ключових властивостей матеріалу після легування, що робить можливим використання таких модифікованих кристалів у пристроях нелінійної оптики та фотоніки, зокрема там, де потрібне тонке налаштування оптичних параметрів.