Проектування КНІ-транзисторів з врахуванням впливу плаваючого тіла і керованої бази

Abstract

В роботі запропоновано альтернативну технологію яка використовує зміну тіла транзистора, за допомогою чого більша зміна забезпечує збільшений струм пристрою під час перемикання, тоді як нахил зменшує потік витоку під час зберігання. Тіло, що робить вплив на методи поліпшило роботу, особливо в низькому діапазоні напруг. Розроблено технологію, яка може використовуватися, щоб вирішити низьковольтну операцію, без будь – якої втрати в швидкості, або збільшення джерела витоку. Альтернативно це може використовуватися, щоб прискорити роботу схеми без будь якого збільшення витрат енергії. Запропонована структура починається з МОНПТ з n-затвором, який особливо привабливий і широко використовується з технологією підкладки КНІ. На відміну від звичайного, прив’язаного витоком типу розташування, стиль розташування n-затвору використовує полікремнієві розширення затвору, паралельні, з обох боків каналу, щоб створити ізольований контакт між поверхнями елементів.