Короткий порівняльний аналіз перспектив використання тривимірних FIN FET-транзисторів для сенсорної електроніки

Abstract

Розвиток сучасної електроніки ґрунтується на впровадженні сучасних мікро- та наноелектронних технологій. Традиційні комплементарні метал-оксид-напівпровідникові (КМОН) планарні транзисторні структури на основі масивного кремнію поступово поступаються більш досконалим структурам з кращими електричними, часовими, енергетичними характеристиками, радіаційною стійкістю на основі тривимірних структур (3D) «кремній-на-ізоляторі" які забезпечують кращі електричні характеристики, вищу швидкодію, енергоефективність з можливостями подальшого масштабування. Перспективними напрямами використання як для традиційних мікросхем, так і сенсорної електроніки є використання 3D-нанометрових транзисторів типу FinFET, Gate-All-Around (GAA), а також на основі нанолистів (Nano-sheet) та нанодротів (Nanowire). В роботі розглянуто структури таких типів КНІ нанометрових 3D-транзисторів і приклади можливостей їх використання у сенсорній електроніці.