Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/25625
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorГорічок, Ігор Володимирович-
dc.date.accessioned2026-06-25T06:51:28Z-
dc.date.available2026-06-25T06:51:28Z-
dc.date.issued2026-
dc.identifier.citationТочкові дефекти у напівпровідникових кристалах : навчальний посібник. Івано-Франківськ : Карпатський національний університет імені Василя Стефаника, 2026. 269 с.uk_UA
dc.identifier.isbn978-966-640-593-0-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/25625-
dc.description.abstractУ посібнику описано основні типи дефектів у кристалах та методи їх дослідження. Головний акцент зроблено на аналізі природи точкових дефектів: механізмів їх утворення та факторів, що впливають на концентрацію. Розглянуто аналітичні та експериментальні методи визначення термодинамічних параметрів дефектів, зокрема, ентальпій утворення та енергій йонізації. Викладено основи методів розрахунку концентрацій точкових дефектів з наведеними прикладами конкретного застосування.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherКарпатський національний університет імені Василя Стефаникаuk_UA
dc.titleТочкові дефекти у напівпровідникових кристалахuk_UA
dc.typeBookuk_UA
Розташовується у зібраннях:Навчальні матеріали (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Горічок_Точкові дефекти у ніпівпровідникових кристалах_isnb.pdf6.15 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.