Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/23759
Title: | Дослідження термоелектричних параметрів напівпровідників Bi2Te3 |
Other Titles: | Study of thermoelectric parameters of Bi2Te3 semiconductors |
Authors: | Омер, Г. |
Keywords: | thermoelectric parameters p-type Bi2Te3 semiconductors |
Issue Date: | 2025 |
Publisher: | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника |
Citation: | Омер Г. Дослідження термоелектричних параметрів напівпровідників Bi2Te3 / Г. Омер // Фізика і хімія твердого тіла. - 2025. - Т. 26. - № 2. - С. 350-357. |
Abstract: | Дослідження термоелектричних властивостей напівпровідників має першорядне значення в сучасних наукових дослідженнях, особливо щодо прямого перетворення теплової енергії в електричну і навпаки. Ця галузь дослідження є фундаментальним компонентом фізики напівпровідників і значною мірою сприяє розвитку суміжних наукових дисциплін. Термоелектричні напівпровідники широко використовуються, і очікується, що їх потенційне застосування розшириться в найближчому майбутньому. Ці напівпровідники є важливими для різноманітних систем, включаючи космічні технології та побутову техніку. Дослідження в цій галузі постійно розвиваються головним чином завдяки швидкій передачі фундаментальних знань у промисловість, що призводить до значних економічних вигод. Отже, значна частина досліджень зосереджена на термоелектричних властивостях напівпровідників та розвитку термоелектричних технологій. У цьому дослідженні ми розглянули термоелектричні параметри напівпровідників p-типу Bi2Te3 у діапазоні температур 291–373 K. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/23759 |
Appears in Collections: | Т. 26, № 2 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
19_Omer(e).pdf | 677.48 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.