Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/23759
Назва: Дослідження термоелектричних параметрів напівпровідників Bi2Te3
Інші назви: Study of thermoelectric parameters of Bi2Te3 semiconductors
Автори: Омер, Г.
Ключові слова: thermoelectric parameters
p-type Bi2Te3 semiconductors
Дата публікації: 2025
Видавництво: Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Бібліографічний опис: Омер Г. Дослідження термоелектричних параметрів напівпровідників Bi2Te3 / Г. Омер // Фізика і хімія твердого тіла. - 2025. - Т. 26. - № 2. - С. 350-357.
Короткий огляд (реферат): Дослідження термоелектричних властивостей напівпровідників має першорядне значення в сучасних наукових дослідженнях, особливо щодо прямого перетворення теплової енергії в електричну і навпаки. Ця галузь дослідження є фундаментальним компонентом фізики напівпровідників і значною мірою сприяє розвитку суміжних наукових дисциплін. Термоелектричні напівпровідники широко використовуються, і очікується, що їх потенційне застосування розшириться в найближчому майбутньому. Ці напівпровідники є важливими для різноманітних систем, включаючи космічні технології та побутову техніку. Дослідження в цій галузі постійно розвиваються головним чином завдяки швидкій передачі фундаментальних знань у промисловість, що призводить до значних економічних вигод. Отже, значна частина досліджень зосереджена на термоелектричних властивостях напівпровідників та розвитку термоелектричних технологій. У цьому дослідженні ми розглянули термоелектричні параметри напівпровідників p-типу Bi2Te3 у діапазоні температур 291–373 K.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/23759
Розташовується у зібраннях:Т. 26, № 2

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
19_Omer(e).pdf677.48 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.